根據(jù)電荷讀取方法的不同，面陣芯片為二維圖像元陣列。二維圖像元陣列為面陣芯片。DTOF面陣芯片可以分為全幀轉(zhuǎn)移和幀轉(zhuǎn)移，這取決于它們自身的結(jié)構(gòu)DTOF和行間轉(zhuǎn)移。

全幀轉(zhuǎn)移DTOF這種結(jié)構(gòu)相對簡單，提供了大的填充因子。每個圖像元件不僅可以收集光電，還可以實現(xiàn)電荷傳輸。在輸出電荷的過程中，電荷一行一行向下移動，依次輸出。因此，在輸出電荷時，需要一個機械快門來阻擋光線。DTOF面陣芯片提供了大的完全下沉容量，但由于順序輸出，幀頻率有限。同時，在垂直向下移動電荷的過程中，應(yīng)考慮抗光暈問題

幀轉(zhuǎn)移DTOF放置在光敏區(qū)域的大型遮光存儲區(qū)域。曝光后，所有光敏區(qū)域的電荷迅速轉(zhuǎn)移到存儲區(qū)域。當讀取存儲區(qū)域的電荷時，光敏區(qū)域可以暴露下一幀。這種設(shè)計可以有效地解決拖動問題，但DTOF面陣芯片尺寸增加了一倍。與此同時，更復(fù)雜的電路設(shè)計行業(yè)也帶來了更高的功耗問題。幀和全幀DTOF有許多共同點，如高填充因子、高滿陷容量、高動態(tài)范圍和有限幀頻率?？梢允褂枚鄠€抽頭來增加幀頻率。

行間轉(zhuǎn)移DTOF光感光元是一種光電二極管，具有良好的光電二極管靈敏度，尤其是藍光譜段靈敏度不受影響，但缺點是填充因子低。線間轉(zhuǎn)移DTOF每個圖像元素由光敏區(qū)域和折射存儲區(qū)域組成。曝光后，電荷迅速從光敏區(qū)域轉(zhuǎn)移到各自的存儲區(qū)域。在下一次曝光開始之前，存儲區(qū)域的電荷從統(tǒng)一讀取的寄存器向下移動。為了解決低填充因子(約30%-50%)的問題，可以在每個光敏區(qū)域的表面添加微透鏡，在光敏區(qū)域收集更多的光，填充因子可以通過微透鏡增加到70%左右。