SiC高壓開關(guān)

SiC高壓開關(guān)是由碳化硅MOSFET組成。相較于傳統(tǒng)的硅場效應(yīng)晶體管的高壓開關(guān)，可以極大的降低導(dǎo)通時阻抗，大幅降低開關(guān)的固有電容，實現(xiàn)更高的切換頻率和更好的散熱能力。

相較傳統(tǒng)硅場效應(yīng)管高壓開關(guān)，導(dǎo)通阻抗可以大幅減少大約90%

相較傳統(tǒng)硅場效應(yīng)管高壓開關(guān)，固有電容減少大約30%~50%

大幅減少靜態(tài)導(dǎo)通損失和動態(tài)切換損失

快速內(nèi)生二極管使得多數(shù)應(yīng)用下外接保護二極管不再必要

更高的峰值電流能力和更好的短路承受能力