Catalog C4-低電阻型

采用TrenchFET MOSFET技術(shù)，使C4開關(guān)導(dǎo)通時的電阻極低，能量損耗小。C4開關(guān)的切換速度比典型的功率FET開關(guān)略低，但比IGBT開關(guān)的速度要高的多；相對于IGBT開關(guān)的負溫度系數(shù)，C4開關(guān)的正溫度系數(shù)，有助于實現(xiàn)短路保護的設(shè)計；另外，過壓暫態(tài)和反向電壓電流方面，C4開關(guān)的危險性也小于IGBT開關(guān)，所以，C4開關(guān)非常適合于替代IGBT開關(guān)，即使在糟糕的環(huán)境下也能保證操作的安全性。